Вкратце напомним, Samsung намерена первой начать частичное использование сканеров EUV для выпуска массовых чипов. Это произойдёт применительно к первому поколению 7-нм техпроцесса компании уже во второй половине текущего года. В 2019 году компания начнёт выпускать чипы с использованием второго поколения 7-нм техпроцесса с более глубокой интеграцией сканеров EUV в производство. Компания TSMC, например, начнёт использовать EUV проекцию только применительно ко второму поколению фирменного 7-нм техпроцесса, и это будет лишь в следующем году.
На рынке контрактного производства чипов Samsung отстаёт от TSMC, GlobalFoundries и UMC, занимая четвёртое место, за которое соперничает с китайской компанией SMIC. Раннее внедрение проекции с длиной волны 13,5 нм даёт компании шанс пройти по ухабам новых технологий и раньше других научиться выпускать полупроводники с лучшей рентабельностью и с лучшими характеристиками. Нечто подобное в новейшей истории компании произошло, когда они на полтора года раньше других приступили к выпуску памяти 3D NAND. Около полутора лет Samsung выпускала 3D NAND себе в убыток, зато потом её прибыль на этом поприще взлетела ракетой.
Увы, в контрактном производстве Samsung не так проворна. Тайваньская TSMC 26 января приступила к строительству 300-мм завода Fab 18 в южном научном парке Тайваня (Southern Taiwan Science Park, STSP). Это предприятие начнёт выпускать 5-нм полупроводники примерно в одно время с запуском 7-нм линий Samsung, первый камень в фундамент которых заложен в эту пятницу. Впрочем, это бег на длинную дистанцию. Победит не первый, а добежавший.
